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[供應]1210 X7R 50V 106K替代鋁電解電容專用貼片電容
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  • 產(chǎn)品產(chǎn)地:臺灣
  • 產(chǎn)品品牌:CCT TDK
  • 包裝規(guī)格:1210 X7R 50V 106K 10UF
  • 產(chǎn)品數(shù)量:0
  • 計量單位:K
  • 產(chǎn)品單價:0
  • 更新日期:2024-08-31 16:10:54
  • 有效期至:2034-08-29
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1210 X7R 50V 106K替代鋁電解電容專用貼片電容 詳細信息

 

1210 X7R 50V 106K替代鋁電解電容專用貼片電容

 

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我司專業(yè)生產(chǎn)高壓高頻貼片電容-高頻無極燈專用(代替CBB) 規(guī)格主要有: 1KV NP0 101 221 331 471 102。。1206尺寸–這些0。2 左右 100P 3KV NP0 1808/1812封裝–1808的都在0。4左右 220P 3KV NP0 1808或1812封裝-1812的都在0。78左右 470P 3KV NP0 1812封裝 820P 2KV NP0 1812封裝 102 2KV NP0 1812封裝 100P 1KV NP0 1206封裝 220P 1KV NP0 1206封裝 470P 1KV NP0 1206封裝 102 1KV NP0 1206封裝 0.47u 100V X7R 1206封裝-0。3左右 0.68u 100V X7R 1206封裝-0。3左右更多規(guī)格歡迎查詢和索樣!

1,耐溫多少度?-55到125度高溫。

2.可否耐高頻?這種NP0(COG)才質(zhì)      無極燈-高壓高頻貼片電容

,屬高頻材質(zhì),比CCB頻率要高很多。

3.損耗多少?小于0.01% 通常在30PPm (損耗=DF值)

4.目前有哪些客戶正在用?某某某…..

5.我用其它家的電容壞了是怎么回事?電容壞有兩種,一種是對方電容本身耐壓不夠擊穿,另一種是加工時有應力沖擊導至電容裂了。

6.這個價格比CBB貴很多?這種貼片的效果比CBB要好很多,體積相當小。(4。5*3。2M) 7.你們在哪里生產(chǎn)?我司是臺灣設立的大陸辦事處,臺灣專業(yè)生產(chǎn)工廠。專業(yè)給無極燈客戶配套。

8.可否提供20PCS樣品?我司可免費提供各10PCS以內(nèi)樣品,太多的話需采購一盤,或付樣品費用.

9.我的板子是單面板,貼片不好放?我司也可以用這種貼片的加工成兩只角,做成獨石電容.

節(jié)能燈高壓陶瓷貼片電容-代替插件瓷片和薄膜電容縮小體積(節(jié)能燈專用) 規(guī)格主要有: 223/100V 1206封裝 102/1KV 1206封裝 152/1KV 1206封裝 332/1KV 1206封裝 222/1KV 1206封裝 250V/473 1206封裝 400V/104 1210封裝更多規(guī)格歡迎查詢和索樣

~ MLCC-陶瓷高壓貼片電容

高壓貼片電容批發(fā)
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1利用貼片陶瓷電容器介質(zhì)層的薄層化和多層疊層技術(shù),使電容值大為擴大
2·單片結(jié)構(gòu)保證有極佳的機械性強度及可靠性
2極高的精確度,在進行自動裝配時有高度的準確性
4因僅有陶瓷和金屬構(gòu)成,故即便在高溫,低溫環(huán)境下亦無漸衰的現(xiàn)象出現(xiàn),具有較強可靠性與穩(wěn)定性
5低集散電容的特性可完成接近理論值的電路設計
6殘留誘導系數(shù)小,確保上佳的頻率特性
7因電解電容器領(lǐng)域也獲得了電容,故使用壽命延長,更造于具有高可靠性的電源
8由于ESR低,頻率特性良好,故最適合于高頻,高密度類型的電源

高壓貼片電容
高壓貼片電容又名陶瓷多層片式電容器,是一種用陶瓷粉生產(chǎn)技術(shù),
內(nèi)部為貴金屬鈀金,用高溫燒結(jié)法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。
產(chǎn)品分為高頻瓷介NPO(COG)和低頻瓷介X7R兩種材質(zhì)。
NPO具有小的封裝體積,高耐溫度系數(shù)的電容,高頻性能好,
用于高穩(wěn)定振蕩回路中,作為電路濾波電容。X7R瓷介電容器限于在工作普通頻率的回路中作旁路或隔直流用,
或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場合,這種電容器不宜使用在交流(AC)脈沖電路中,因為它們易于被脈沖電壓擊穿,
所以不建義使用在交流電路中。

高壓貼片電容分三類:
一類為溫度補償型NPO介質(zhì)
NP0又名COG電氣性能最穩(wěn)定,基本上不隨溫度、電壓、時間的改變,屬超穩(wěn)定型、低損耗電容材料類型,適用在對穩(wěn)定性、可靠性要求較高的高頻、特高頻、甚高頻電路中。
二類為高介電常數(shù)型X7R介質(zhì)
X7R是一種強電介質(zhì),因而能制造出容量比NPO介質(zhì)更大的電容器。這種電容器性能較穩(wěn)定,隨溫度、電壓時間的改變,其特有的性能變化并不顯著,屬穩(wěn)定電容材料類型,使用在隔直、耦合、傍路、濾波電路及可靠性要求較高的中高頻電路中。
三類為半導體型X5R介質(zhì)
X5R具有較高的介電常數(shù),常用于生產(chǎn)比容較大、標稱容量較高的大容量電容器產(chǎn)品。但其容量穩(wěn)定性較X7R,容量、損耗對溫度、電壓等測試條件較敏感,主要用在電子整機中的振蕩、耦合、濾波及傍路電路中。      優(yōu)點:封裝體積小,質(zhì)量穩(wěn)定,絕緣性能高,耐高壓      缺點:容量較小,目前最大100UF,易于被脈沖電壓擊穿。      性能參數(shù):      1.材質(zhì)NPO(COG).X7R.X5R.Y5V      2.容量0.1PF-100PF-1NF-1UF-100UF      3.電壓6.3V-100V-1KV-2KV-5KV      4.封裝0201-0805-1206-1812-2225      應用范圍:      產(chǎn)品廣泛用于模塊電源、汽車電子,通訊電源,LED照明電源等領(lǐng)域,有著廣闊的應用發(fā)展前景.

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