深圳市眾誠達(dá)應(yīng)用材料科技有限公司

深圳眾誠達(dá)應(yīng)用材料科技有限公司生產(chǎn)銷售磁控濺射用的靶材。中頻磁控濺射對(duì)靶和磁場的設(shè)計(jì)以及工作氣壓要求很高，中頻磁控濺射是直流磁控濺射沉積速率的2到3倍。中頻磁控濺射是兩個(gè)靶工作，制備化合物膜層，由于其離化率低很難找到一個(gè)最佳的中毒點(diǎn)，對(duì)工作氣體的流量控制要求很嚴(yán)格。若控制不好則很難制備均勻和結(jié)合力好的膜層。再就是磁場的設(shè)計(jì)主要是磁場分布的均勻性這樣既可以提高靶材的利用率，另外對(duì)于最佳中毒點(diǎn)工作時(shí)的穩(wěn)定性也有很大提高   磁控濺射的離子能量和繞射性都遠(yuǎn)低于多弧靶面，與工件的距離是很重要的，太近離子對(duì)工件的轟擊可以損壞膜層，太遠(yuǎn)則偏離了最佳濺射距離制備的膜層結(jié)合力很差。

深圳眾誠達(dá)應(yīng)用材料科技有限公司生產(chǎn)銷售的靶材應(yīng)用于存儲(chǔ)領(lǐng)域。在儲(chǔ)存技術(shù)方面，高密度、大容量硬盤的發(fā)展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF ~Cu多層復(fù)合膜是如今應(yīng)用廣泛的巨磁阻薄膜結(jié)構(gòu)。磁光盤需要的 T b F e C o合金靶材還在進(jìn)一步發(fā)展，用它制造的磁光

盤具有存儲(chǔ)容量大，壽命長，可反復(fù)無接觸擦寫的特 點(diǎn)。如今開發(fā)出來的磁光盤，具有 T b F e C o / T a和 T b F e C o / Al 的 層復(fù)合膜結(jié)構(gòu)， T bF eCo/AI結(jié)構(gòu)的Kerr 旋轉(zhuǎn)角達(dá)到5 8，而T b F e Co f F a 則可以接近0.8。經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)， 低磁導(dǎo)率的靶材高交流局部放電電壓 l 抗電強(qiáng)度。