最新恒溫一體半導體激光打標機
半導體泵浦激光器采用半導體發(fā)光二極管作為激光晶體的能量來源(激勵源),用波長808nm半導體發(fā)光二極管泵浦Nd:YAG介質(zhì),使介質(zhì)產(chǎn)生大量的反轉(zhuǎn)粒子,在Q開關(guān)的作用下形成波長為1064nm的巨脈沖激光輸出。因為半導體激光器的電光轉(zhuǎn)換率較燈泵浦激光器有了較大提高,因而避免了由于發(fā)熱高所造成的輔助設(shè)備體積龐大、激光束品質(zhì)欠佳等問題。是第二代激光器的代表。
本產(chǎn)品屬于本公司特別設(shè)計,環(huán)境適應性強,不需營造特別工作環(huán)境,在任何環(huán)境下都可正常使用。
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