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[供應(yīng)]美國Suns-Voc少子壽命測試儀WCT-120
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  • 產(chǎn)品產(chǎn)地:美國
  • 產(chǎn)品品牌:sinton
  • 包裝規(guī)格:Suns-Voc
  • 產(chǎn)品數(shù)量:10
  • 計(jì)量單位:件
  • 產(chǎn)品單價(jià):8888
  • 更新日期:2024-07-05 08:45:32
  • 有效期至:2034-07-03
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美國Suns-Voc少子壽命測試儀WCT-120 詳細(xì)信息

深圳灣邊貿(mào)易長期優(yōu)勢供應(yīng)、代購各進(jìn)口設(shè)備!!

灣邊貿(mào)易優(yōu)勢供應(yīng)美國sintonWCT-120Suns-Voc少子壽命測試儀

 美國SintonWCT-120 Suns-Voc少子壽命測試儀器采用了獨(dú)特的測量和分析技術(shù),包括類似平穩(wěn)狀態(tài)photoconductance(QSSPC)測量方法??伸`敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應(yīng)表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況。WCT一個(gè)高度被看待的研究和過程工具。QSSPC終身測量也產(chǎn)生含蓄的打開電路電壓(對照明)曲線,與最后的I-V曲線是可比較的在一個(gè)太陽能電池過程的每個(gè)階段。SintonWCT-120




WCT-120準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)法測少子壽命的原理? WCT用的是Quasi-Steady-StatePhotoconductance(QSSPC準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)) 準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)衰減法(QSSPC)和微波光電導(dǎo)衰減法(MWPCD)的比較? 
  QSSPC方法優(yōu)越于其他測試壽命方法的一個(gè)重要之處在于它能夠在大范圍光強(qiáng)變化區(qū)間內(nèi)對過剩載流子進(jìn)行絕對測量,同時(shí)可以結(jié)合SRH模型,得出各種復(fù)合壽命,如體內(nèi)缺陷復(fù)合中心引起的少子復(fù)合壽命、表面復(fù)合速度等隨著載流子濃度的變化關(guān)系。SintonWCT-120
  MWPCD方法測試的信號是一個(gè)微分信號,而QSSPC方法能夠測試少子壽命的真實(shí)值,MWPCD在加偏置光的情況下,結(jié)合理論計(jì)算可以得出少子壽命隨著過剩載流子的變化曲線,而QSSPC直接就能夠測得過剩載流子濃度,因此可以直接得出少子壽命與過剩載流子濃度的關(guān)系曲線,并且得到PN結(jié)的暗飽和電流密度;MWPCD由于使用的脈沖激光的光斑可以做到幾個(gè)到十幾個(gè),甚至更小的尺寸,在照射過程中,只有這個(gè)尺寸范圍的區(qū)域才會被激發(fā)產(chǎn)生光生載流子,也就是得到的結(jié)果是局域區(qū)域的差額壽命值,這對于壽命分布不均勻的樣品來說,結(jié)果并不具備代表性。SintonWCT-120


美國SintonWCT-120 Suns-Voc少子壽命測試儀的主要特點(diǎn):
適應(yīng)低電阻率樣片的測試需要,最小樣品電阻率可達(dá)0.1ohmcm
全自動(dòng)操作及數(shù)據(jù)處理
對太陽能級硅片,測試前一般不需鈍化處理
能夠測試單晶或多晶硅棒、片或硅錠
可以選擇測試樣品上任意位置
能提供專利的表面化學(xué)鈍化處理方法
對各道工序的樣品均可進(jìn)行質(zhì)量監(jiān)控:
硅棒、切片的出廠、進(jìn)廠檢查
擴(kuò)散后的硅片
表面鍍膜后的硅片以及成品電池
    測量原理 QSSPC(準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo))   少子壽命測量范圍 100ns-10ms 測試模式:QSSPC,瞬態(tài),壽命歸一化分析 電阻率測量范圍 3–600(undoped)Ohms/sq. 注入范圍:1013-1016cm-3 感測器范圍 直徑40-mm 測量樣品規(guī)格 標(biāo)準(zhǔn)直徑:40–210mm (或更小尺寸) 硅片厚度范圍 10–2000  μm 外界環(huán)境溫度 20°C–25°C 功率要求 測試儀:40W   電腦控制器:200W 光源:60W 通用電源電壓 100–240VAC50/60Hz
美國SintonWCT-120 Suns-Voc少子壽命測試儀

源自:深圳市灣邊貿(mào)易有限公司

備注:所列價(jià)格并非成交價(jià),如有疑問,敬請來電咨詢!

美國SintonWCT-120 Suns-Voc少子壽命測試儀

 

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