深圳市協(xié)創(chuàng)緣科技有限公司

   協(xié)創(chuàng)緣依靠國內(nèi)外先進(jìn)的深圳LED光電材料加工技術(shù)，開發(fā)生產(chǎn)了多種深圳LED光電材料加工產(chǎn)品。公司主營業(yè)務(wù)黑白膠、背光源模切產(chǎn)品，為廣大客戶創(chuàng)造了良好的用戶體驗(yàn)。目前，協(xié)創(chuàng)緣設(shè)有研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)等完整體系，擁有一支高素質(zhì)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，我司研制的黑白雙面膠生產(chǎn)操作簡單，性能齊全，具有極高的性價(jià)比，為眾多客戶青睞。

   深圳市協(xié)創(chuàng)緣科技有限公司于2014-06-03在深圳市寶安區(qū)福永街道鳳凰工業(yè)區(qū)興業(yè)一路50號(hào)第四層南注冊(cè)成立以來，從事工農(nóng)業(yè)、加工制造、電工電氣產(chǎn)品加工領(lǐng)域。目前，分公司及辦事處已遍布全國多個(gè)城市及地區(qū)。建立起了一個(gè)以深圳市、寶安區(qū)為中心，覆蓋全國的產(chǎn)品經(jīng)銷和服務(wù)網(wǎng)絡(luò)。 延伸拓展 詳情介紹：深圳LED光電材料加工生產(chǎn)的光電材料是指用于制造各種光電設(shè)備(主要包括各種主、被動(dòng)光電傳感器光信息處理和存儲(chǔ)裝置及光通信等)的材料，主要包括紅外材料、激光材料、光纖材料、非線性光學(xué)材料等。下面主要介紹一下紅外材料、激光材料及其在軍事領(lǐng)域的應(yīng)用。紅外探測材料包括硫化鉛、銻化銦、鍺摻雜(金、汞)、碲錫鉛、碲鎘汞、硫酸三甘酞、鉭酸鋰、鍺酸鉛、氧化鎂等一系列材料，銻化銦和碲鎘汞是目前軍用紅外光電系統(tǒng)采用的主要紅外探測材料，特別是碲鎘汞(Hg-Cd-Te)材料，是當(dāng)前較成熟也是各國側(cè)重研究發(fā)展的主要紅外材料。它可應(yīng)用于從近紅外、中紅外、到遠(yuǎn)紅外很寬的波長范圍，還具有以光電導(dǎo)、光伏特及光磁電等多種工作方式工作的優(yōu)點(diǎn)，但該材料也存在化學(xué)穩(wěn)定性差、難于制成大尺寸單晶、大面積均勻性差等缺點(diǎn)，Hg-Cd-Te現(xiàn)已進(jìn)入薄膜材料研制和應(yīng)用階段，為了克服該材料上述的缺點(diǎn)，國際上探索了新的技術(shù)途徑:(1)用各種薄膜外延技術(shù)制備大尺寸晶片，這些技術(shù)包括分子束外延(MBE)、液相外延(LPE)和金屬有機(jī)化合物氣相淀積(MOCVD)等。特別是用MOCVD可以制出大面積、組分均勻、表面狀態(tài)好的Hg-Cd-Te薄膜，用于制備大面積焦平面陣列紅外探測器。國外用MOCVD法已制成面積大于5cm2、均勻性良好、Δx=0.2±0.005、工藝重復(fù)性好的碲鎘汞單晶薄膜，64×64焦平面器件已用于型號(hào)系統(tǒng)、512×512已有樣品。(2)尋找高性能新紅外材料取代Hg-Cd-Te，主要包括:Hg-Mn-Te和Hg-Zn-Te，美國和烏克蘭等國從80年代中就開展了這方面的研究，研究表明，Hg1-xZnxTe和Hg1-xCdxZnyTe的光學(xué)特性和碲鎘汞很相似，但較容易獲得大尺寸、低缺陷的單晶，化學(xué)穩(wěn)定性也更高。Hg1-xMnxTe是磁性半導(dǎo)體材料，在磁場中的光伏特性與碲鎘汞幾乎相同，但它克服了Hg-Te弱鍵引起的問題。②高溫超導(dǎo)材料，現(xiàn)處于研究開發(fā)階段，已有開發(fā)成功的產(chǎn)品。③Ⅲ-V超晶格量子阱化合物材料，可用于8~14μm遠(yuǎn)紅外探測器，如:InAs/GaSb(應(yīng)變層超晶格)、GaAs/AlGaAs(量子阱結(jié)構(gòu))等。④SiGe材料，由于SiGe材料具有許多獨(dú)特的物理性質(zhì)和重要的應(yīng)用價(jià)值，又與Si平面工藝相容，因此引起了微電子及光電子產(chǎn)業(yè)的高度重視。SiGe材料通過控制層厚、組分、應(yīng)變等，可自由調(diào)節(jié)材料的光電性能，開辟了硅材料人工設(shè)計(jì)和能帶工程的新紀(jì)元，形成國際性研究熱潮。Si/GeSi異質(zhì)結(jié)構(gòu)應(yīng)用于紅外探測器有如下優(yōu)點(diǎn):截止波長可在3~30μm較大范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，能保證截止波長有利于優(yōu)化響應(yīng)和探測器的冷卻要求。Si/GeSi材料的缺點(diǎn)在于量子效率很低，目前利用多個(gè)SiGe層來解決這一問題

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