4000A(400nm)植入式柵極氧化固態(tài)劑量計
技術要求
典型數(shù)值在27°C
氧化層厚度4000A
輻射Vth靈敏度
輻射場= 0.125 MV/cm : 靈敏度= 1.33mV/rad
輻射場= 0 MV/cm : 靈敏度= 0.463mV/rad
(靈敏度在 1.5 krad(H2O),在以下讀寫器的配置中使用一個恒量10μA)
溫度補償
TVTC 2.5mV/°C
(該數(shù)據(jù)出自溫度27°C-100°C線性模式中的外推Vtp數(shù)值.)
線性模式中Z.T.C. 數(shù)值~ -500nA
(Vs=Vb=0, Vds=-0.1)
飽和模式中Z.T.C.數(shù)值~ -1μA
(使用以下讀寫器電路配置)
預輻射劑量計的特點
閾值電壓(外推) -1.0 +/- 0.4V
Vth漂移時間(秒) 2.5mV/十年
(該數(shù)據(jù)出自讀寫器配置強迫40μA)
氧化層擊穿電壓~280V
溝道漏電流 Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 25 pA
亞閾值斜率220 +/- 20 mV/decade
溝道電阻 Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 0.75 Mohms
北京華恒鑫達公司還提供深水高純鍺譜儀、蓄水池全自動水樣核素活度監(jiān)測系統(tǒng)、同軸高純鍺探測器GCD系列(液氮致冷)、平面型高純鍺探測器GPD系列(液氮致冷)、便攜式高純鍺γ射線譜儀、手持式高純鍺探測器、自帶鉛室高純鍺譜儀、液體和氣體流量核素分析的屏蔽高純鍺譜儀、移動式高純鍺譜儀(現(xiàn)場使用)、X γ射線高純鍺譜儀(電致冷)、流動式高純鍺譜儀、CdZn TeCdTe探測器和相關電子附件等相關產(chǎn)品。
關于我們 | 友情鏈接 | 網(wǎng)站地圖 | 聯(lián)系我們 | 最新產(chǎn)品
浙江民營企業(yè)網(wǎng) peada.cn 版權所有 2002-2010
浙ICP備11047537號-1