深圳市粵興達(dá)電子科技有限公司

AGN20003，AGN2004H，AGN20012，AGN2104H，AGN200A4H，AGN20024,AGN21003， AGN21012，AGN21024,AGN200A3， AGN20A12，AGN20A24,AGN21A03，AGN21A4H，AGN21A12，AGN21A24
1：高5.2MM*寬6.5MM*長10MM的超小型，對應(yīng)高度封裝。
2：實(shí)現(xiàn)高度為5.2MM的低高度，封裝效率提高的承諾。
3：約0.7G的超輕量型。對應(yīng)更高速度的封裝。
4：實(shí)現(xiàn)于本公司以往產(chǎn)品相比70%的低電力消耗100MW的高靈敏度，
5：實(shí)現(xiàn)線圈接點(diǎn)耐高壓AC1，500V，且耐沖擊電壓1.5KV，10*160US（TCC，PART68標(biāo)準(zhǔn)）。
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AGQ2004H,AGQ20024，AGQ200A4H，AGQ200A12，AGQ200A24，AGQ210A4H，AGQ210A12，AGQ210A24，AGQ200S4H，AGQ200S12，AGQ200S24，AGQ210S4H，AGQ210S12，AGQ210S24，
1：高5.2MM*寬6.5MM*長10MM的超小型，對應(yīng)高度封裝。
2：實(shí)現(xiàn)高度為5.2MM的低高度，封裝效率提高的承諾。
3：約0.7G的超輕量型。對應(yīng)更高速度的封裝。
4：實(shí)現(xiàn)于本公司以往產(chǎn)品相比70%的低電力消耗100MW的高靈敏度，
5：實(shí)現(xiàn)線圈接點(diǎn)耐高壓AC1，500V，且耐沖擊電壓1.5KV，10*160US（TCC，PART68標(biāo)準(zhǔn)）。
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TX2-3V，TX2-5V，TX2-12V，TX2-24V，TX2-L2-3V，TX2-L2-5V，TX2-L2-12V， TX2-L-3V，TX2-L-5V，TX2-L-12V，TX2-L-24V，TX2SA-3V，TX2-L2-24V，TX2SA-4.5V,TX2SA-5V，TX2SA-12V，TX2SA-24V，TX2SL-3V，TX2SL-5V，TX2SL-12V，TX2SL-24V，TX2SS-3V，TX2SS-5V，TX2SS-12V，TX2SS-24V
TX2SA-L-3V，TX2SA-L-5V，TX2SA-L-12V，TX2SA-L-24V，TX2SL-L-3V，TX2SL-L-5V，TX2SL-L-12V，TX2SL-L-24V，TX2SS-L-3V，TX2SS-L-5V，TX2SS-L-12V，TX2SS-L-24V
1：長端子形狀，焊接部分的長期連接可靠性提高。2：內(nèi)部為L端子形狀，可進(jìn)行高密度封裝。3：獨(dú)特的端子構(gòu)造，IRS封裝時(shí)端子溫度容易上升，焊接性能良好。4：線圈接點(diǎn)間耐高壓2，000AC，高度耐沖擊電壓2，500V，2*10US。5：額定消耗電力140MW的高靈敏度化。6：高9.4MM*寬7.5MM*長15MM的小型尺寸。7：采用耐熱材料，對應(yīng)IRS封裝法。
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1：長端子形狀，焊接部分的長期連接可靠性提高。2：內(nèi)部為L端子形狀，可進(jìn)行高密度封裝。3：獨(dú)特的端子構(gòu)造，IRS封裝時(shí)端子溫度容易上升，焊接性能良好。4：線圈接點(diǎn)間耐高壓2，000AC，高度耐沖擊電壓2，500V，2*10US。5：額定消耗電力140MW的高靈敏度化。6：高9.4MM*寬7.5MM*長15MM的小型尺寸。7：采用耐熱材料，對應(yīng)IRS封裝法。
具體型號神
TXD2-5V，TXD2-12V，TXD2-24V，TXD2-H-5V，TXD2-H-12V，TXD2-H-24V，
TXD2-L-5V，TXD2-L-12V，TXD2-L-24V，TXD2-L-H-5V，TXD2-L-H-12V，TXD2-L-H-24V，TXD2S-L-5V，TXD2S-L-12V，TXD2S-L-24V，TXD2S-5V，TXD2S-12V，TXD2S-24V，TXD2-2M-5V，TXD2-2M-12V，TXD2-2M-24V，
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1：長端子形狀，焊接部分的長期連接可靠性提高。2：內(nèi)部為L端子形狀，可進(jìn)行高密度封裝。3：獨(dú)特的端子構(gòu)造，IRS封裝時(shí)端子溫度容易上升，焊接性能良好。4：線圈接點(diǎn)間耐高壓2，000AC，高度耐沖擊電壓2，500V，2*10US。5：額定消耗電力140MW的高靈敏度化。6：高9.4MM*寬7.5MM*長15MM的小型尺寸。7：采用耐熱材料，對應(yīng)IRS封裝法。
具體型號：制造下發(fā)
TXS2-3V，TXS2-4.5V，TXS2-12V，TXS2-24V，TXS2-L-3V，TXS2-L-5V，TXS2-L-12V，TXS2-L-24V，TXS2-L2-3V，TXS2-L2-5V，TXS2-L2-12V，TXS2-L2-24V
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1：實(shí)行高度5MM，可以與半導(dǎo)體元件安裝于同一基板。2：額定消耗電力140MW的高靈敏度。3：低消耗電力實(shí)現(xiàn)的低熱起電力化（約2UV）（G6H-2F除外）。4：漏磁力線少，可進(jìn)行高密度實(shí)裝。5：確保耐沖擊電壓1500V。6：實(shí)現(xiàn)高速動(dòng)作。7：標(biāo)準(zhǔn)型取得UL，CSA規(guī)格。8：超聲波清洗對應(yīng)，備用1繞組閉鎖型和2繞組閉鎖型。備有完全對應(yīng)IRS，VPS的表面安裝型。

具體型號：<