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特性一覽表 MCD 50-B、MCD 125-B/NPE 使用優(yōu)點 低保護水平（Up1.3≤kv） 在B級和C 級浪涌保護器之間，無需設計退耦裝置或在兩極之間保持一定的安裝空間。 緊密的EMC結構 節(jié)省45%以上的安裝空間 在TT和TN-S系統(tǒng)中，和C級浪涌保護器一同安裝時，MCD 125B/NPE可以為B和C級浪涌保護器共用。 
節(jié)省費用及安裝空間 功能和應用領域 浪涌保護器MCD 50-B和MCD 125-B/NPE滿足標準DIN、VDE 6F5 Part6（Draft 11.89）A1,A2對B類器件的需求條件，以及標準IEC61643-1（02，89）對第Ι級浪涌保護器的要求，他們與后級限壓型電涌保護器配合使用時，無需設計退耦裝置，可以將兩極保護器安裝在一起。該產(chǎn)品是OBO在間隙型浪涌保護器的多電極石磨堆疊技術新發(fā)展。 MCD 50-B以其低保護電壓水平（Up≤1.31KV）的特性，確保了與C級浪涌保護器配合使用時，不需要設計退耦裝置或者在B級和 C級之間留一定的安裝距離。這樣它可以節(jié)省超過45%的安裝空間，MCD 50-B這個特性特別是對緊湊型Z-MC概念有著特殊的貢獻。另外，NPE放電間隙MCD125-B/NPE雷擊電涌保護器其大通流量的特性在TT、TN-S系統(tǒng)中使用，可以同時作為B和C級浪涌保護器的NPE保護模塊，節(jié)省費用及安裝空間。 
新的MCD50-B和MCD125-B/NPE浪涌保護器周首選的應用環(huán)境是，需要有緊湊的防雷保護概念或者需要在一個獨立的小型機房內(nèi)安裝B和C兩級浪涌保護器的環(huán)境。