晶片表面層原子因垂直切片方向的化學(xué)鍵被破壞而成為懸空鍵,形成表面附近的自由力場(chǎng),尤其磨片是在鑄鐵磨盤上進(jìn)行,所以鐵離子的污染就更加嚴(yán)重。同時(shí),由于磨料中的金剛砂粒徑較大,造成磨片后的硅片破損層較大,懸掛鍵數(shù)目增多,極易吸附各種雜質(zhì),如顆粒、有機(jī)雜質(zhì)、無(wú)機(jī)雜質(zhì)、金屬離子、硅粉粉塵等,造成磨片后的硅片易發(fā)生變花、發(fā)藍(lán)、發(fā)黑等現(xiàn)象,使磨片不合格。硅片清洗的目的就是要除去各類污染物,清洗的潔凈程度直接決定著ULSI向更高集成度、可靠性、成品率發(fā)展,這涉及到高凈化的環(huán)境、水、化學(xué)試劑和相應(yīng)的設(shè)備及配套工藝,難度越來(lái)越大,可見(jiàn)半導(dǎo)體行業(yè)中清洗工藝的重要性。
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