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  • 更新日期:2014-05-24 11:49:09
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FET特點:邏輯電平門   漏極至源極電壓(Vdss):30V   Id時的Vgs(th)(最大):1.5V @ 250μA   閘電荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 4.5V   在Vd
FET特點:邏輯電平門   漏極至源極電壓(Vdss):30V   Id時的Vgs(th)(最大):1.5V @ 250μA   閘電荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 4.5V   在Vds時的輸入電容(Ciss):1.4W   安裝類型:表面貼裝   英文描述:P-Channel
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FET特點:邏輯電平門   漏極至源極電壓(Vdss):30V   Id時的Vgs(th)(最大):1.5V @ 250μA   閘電荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 4.5V   在Vds時的輸入電容(Ciss):1.4W   安裝類型:表面貼裝   英文描述:P-Channel

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